IRL3103D1STRL【PDF 1/8 页】MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

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PD- 9.1558A

IRL3103D1S

FETKY TM MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER

Co-packaged HEXFET ? Power MOSFET

and Schottky Diode

Generation 5 Technology

Logic Level Gate Drive

Minimize Circuit Inductance

V DSS = 30V

R DS(on) = 0.014 ?

Ideal For Synchronous Regulator Application

I D = 64A

Description

The FETKY family of co-packaged HEXFET power

MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an

innovative board space saving solution for switching

regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET

with a low forward voltage drop Schottky diode and

minimized component interconnect inductance and

resistance result in maximized converter efficiencies.

The D 2 Pak is a surface mount power package capable of

D Pak

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D 2 Pak is suitable for high current applications because

of its low internal connection resistance and can dissipate

up to 2.0W in a typical surface mount application.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

T O -26 2

Units

I D @ T C = 25°C

Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?

I D @ T C = 100°C

I DM

P D @T A = 25°C

P D @T C = 25°C

V GS

Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?

Pulsed Drain Current ??

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

220

3.1

0.56

± 16

W/°C

T J

T STG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

-55 to + 150

300 (1.6mm from case )

°C

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R θ JC

Junction-to-Case

–––

1.4

R θ JA

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

–––

°C/W

4/2/98

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IRL3103D1STRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D1STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103D2 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D

IRL3103D2PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

IRL3103L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3103LHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262

IRL3103LPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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